AI大模型、數據中心和智能算力快速發(fā)展的背景下，高帶寬、低功耗、低時(shí)延的光互聯(lián)正逐步取代傳統電互聯(lián)，成為下一代基礎設施的關(guān)鍵。5月15日在武漢光博會(huì )“光芯片封裝測試技術(shù)研討會(huì )”上，凌云光公司光纖器件與儀器事業(yè)部CTO張華博士，帶來(lái)《面向AI光互聯(lián)的光電子集成先進(jìn)封測工藝探討》專(zhuān)題報告，全面解析了AI驅動(dòng)下光電子集成的趨勢變化與關(guān)鍵工藝突破。

AI時(shí)代新挑戰：光互聯(lián)亟需突破四重挑戰

隨著(zhù)AI大模型的參數規模呈指數級增長(cháng)，GPU集群間的數據交換與存儲需求急劇上升，現有網(wǎng)絡(luò )架構難以支撐這一趨勢。張華博士指出：AI算力集群對網(wǎng)絡(luò )互聯(lián)提出“高帶寬、高可靠、低延遲、低功耗”的四重挑戰，促使行業(yè)加速邁向光電子集成化方向。未來(lái)，CPO（光電共封）和OIO（光輸入/輸出）等方案有望成為支撐超大規模集群互聯(lián)的關(guān)鍵技術(shù)，推動(dòng)數據中心從“連接”走向“光速協(xié)同”。

先進(jìn)封裝雙箭齊發(fā)：PWB+TGV協(xié)同突破在應對高速光互聯(lián)芯片封裝的復雜需求中，凌云光重點(diǎn)布局了兩項核心工藝：光子引線(xiàn)鍵合（PWB）與玻璃通孔（TGV）。首先是光子引線(xiàn)鍵合（PWB），PWB技術(shù)通過(guò)3D激光直寫(xiě)光刻，將光纖與芯片之間復雜的空間對準轉化為“波導內有線(xiàn)連接”，不僅突破了耦合精度與效率瓶頸，還能實(shí)現高密度封裝、自動(dòng)化量產(chǎn)和秒級耦合。該技術(shù)已通過(guò)Telcordia系列環(huán)境測試，并在哈佛大學(xué)、住友電工等機構得到驗證應用。

其次是玻璃通孔（TGV）技術(shù)。張華博士提到，TGV作為替代硅通孔的方案，尤其適合高速信號傳輸場(chǎng)景。在成孔方案上，凌云光采用“飛秒激光誘導改性 + 化學(xué)刻蝕”復合工藝，配合WOP FemtoTGV系統，實(shí)現了10μm級高縱深比、高精度的通孔結構，支持從晶圓級到大面板級的高密度互聯(lián)，并已拓展至光纖對準陣列等新應用場(chǎng)景。

賦能光速互聯(lián)，凌云光在路上

賦能光速互聯(lián)，凌云光在路上報告最后，張博強調AI時(shí)代正以前所未有的速度重塑底層架構，光電子集成與先進(jìn)封裝的協(xié)同創(chuàng )新，已成為打造低功耗、高效率、高密度連接平臺的必由之路。PWB和TGV這類(lèi)先進(jìn)封測工藝，不僅提升了封裝密度與性能，也為低功耗、高效率、高集成度的光互聯(lián)架構提供了可規?；涞氐募夹g(shù)路徑。凌云光將繼續發(fā)揮在光學(xué)加工、精密制造與智能視覺(jué)領(lǐng)域的深厚積累，推動(dòng)光電子產(chǎn)業(yè)鏈的關(guān)鍵環(huán)節不斷向“更高密度、更低成本、更強穩定”演進(jìn)。

2025武漢光博會(huì )于5月15-17日在光谷科技會(huì )展中心召開(kāi)，同期凌云光將攜光電子集成測試方案及業(yè)內領(lǐng)先的測試設備出席POEM 2025，期待各位行業(yè)同人蒞臨凌云光展位交流指導！